उच्च शुद्धता टाइटेनियम स्पटरिंग लक्ष्य

उच्च शुद्धता टाइटेनियम स्पटरिंग लक्ष्य

1. कोर इनोवेशन: शुद्धता और प्रदर्शन को फिर से परिभाषित करना​

• प्रोडक्ट का नाम: अल्ट्रा-उच्च-शुद्धता टाइटेनियम स्पटरिंग लक्ष्य (जीआर1-जीआर12 ग्रेड)
• शुद्धता बेंचमार्क:
• टाइटेनियम सामग्री: 99.95% से अधिक या उसके बराबर (एएसटीएम बी348)
• अशुद्धता नियंत्रण: <0.02% (O, N, C ≤0.005%; Fe ≤0.01%)
• घनत्व: 4.51 ग्राम/सेमी³ (±0.02)
• यह क्यों मायने रखता है:
• फ़िल्म वफ़ादारी: Sub-ppm impurity levels eliminate voids and inclusions, ensuring uniform film thickness (±2%) and adhesion strength (peel test >50 एमपीए)।
• अनाज की संरचना: 50-100 μm समअक्षीय दाने (SEM-सत्यापित) उभार को कम करते हैं और स्पटरिंग दर स्थिरता में 30% सुधार करते हैं।
• तकनीकी बढ़त:
• वैक्यूम इंडक्शन मेल्टिंग: 99.999% शुद्धता वाला फीडस्टॉक 10⁻³ Pa वैक्यूम के तहत पिघलाया गया।
• हॉट आइसोस्टैटिक प्रेसिंग (HIP): छिद्रों को बंद करने के लिए 1,200 डिग्री/200 एमपीए उपचार<5 μm.
• सीएनसी परिशुद्धता मशीनिंग: महत्वपूर्ण आयामों (जैसे, लक्ष्य मोटाई) के लिए सहनशीलता ±0.05 मिमी।

2. अनुप्रयोग-विशिष्ट समाधान​

2.1 सेमीकंडक्टर विनिर्माण​

वेफर कोटिंग: गेट ढांकता हुआ परतों (ऑक्साइड/नाइट्राइड इंटरफेस) के लिए जीआर1 (99.5% टीआई) लक्ष्य।

केस स्टडी: 300 मिमी वेफर स्पटरिंग में कण संदूषण को 80% तक कम किया गया।

2.2 ऑप्टिकल कोटिंग्स​

विरोधी-चिंतनशील फ़िल्में: UV/IR प्रकाशिकी के लिए Gr5 (Ti-6Al-4V) लक्ष्य (अपवर्तक सूचकांक नियंत्रण: n=2.2–2.6)।

यूवी-सी लेंस: 200-400 एनएम रेंज में 99.8% ट्रांसमिशन प्राप्त करता है।

2.3 ऊर्जा भंडारण​

सॉलिड-स्टेट बैटरियाँ: ठोस-इलेक्ट्रोलाइट इंटरफेस के लिए Gr7 (Ti-0.2Pd) लक्ष्य (आयनिक चालकता: 10⁻³ S/cm)।

2.4 उन्नत इलेक्ट्रॉनिक्स​

लचीले सर्किट: Gr12 (Ti-0.3Mo-0.8Ni) स्ट्रेचेबल कंडक्टर लाइनों के लिए लक्ष्य (तनाव सहनशीलता: 300%)।

3. गुणवत्ता आश्वासन एवं अनुपालन​

प्रमाणपत्र:

• आईएसओ 9001: कच्चे माल से तैयार उत्पाद तक पूर्ण पता लगाने की क्षमता।
• एएसटीएम बी381: हाइड्रोजन उत्सर्जन प्रतिरोध<200 kPa.
• RoHS/पहुंच: <100 ppm restricted substances.

परीक्षण प्रोटोकॉल:

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